招聘

岗位

专任副研究员1人

岗位

职责

及

招聘条件

岗位职责：

1.FinFET及GAA器件的设计及工艺整合

2.SiGe材料外延工艺开发

3.面向先进工艺的DTCO技术研究

招聘条件：

1.政治立场坚定，热爱祖国，拥护党的路线、方针、政策，品行端正，遵纪守法，身心健康；

2.具有电子、材料、物理等相关专业背景，年龄一般为40周岁以下，博士学位；

3.具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平;或任务特需的，且具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定），具备3年以上半导体器件TCAD设计和工艺制备经验；

4.具有很强的学习自驱力和团队合作意识；

5.具有良好的中英文写作和沟通能力。

招聘

范围

校内外

岗位

待遇

签订劳动合同，待遇面议。

应聘

程序

应聘人员需提交个人简历并提供学历、学位、职称等证书的复印件，通过电子邮件发送至qyx@fudan.edu.cn。材料审核通过者，将通知参加面试。

联系

方式

qyx@fudan.edu.cn

截止日期

截止时间：2022年10月1日